DTC114ESATP
DTC114ESATP
Número de pieza:
DTC114ESATP
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17303 Pieces
Ficha de datos:
DTC114ESATP.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SPT
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:SC-72 Formed Leads
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:DTC114ESATP
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):50mA
Email:[email protected]

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