DTC114YUAT106
DTC114YUAT106
Número de pieza:
DTC114YUAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17807 Pieces
Ficha de datos:
DTC114YUAT106.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:DTC114YUAT106TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:DTC114YUAT106
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):70mA
Email:[email protected]

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