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DSI30-12AS
- Número de pieza:
- DSI30-12AS
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15436 Pieces
- Ficha de datos:
- DSI30-12AS.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DSI30-12AS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DSI30-12AS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.29V @ 30A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | DSI30-12ASTR DSI3012AS |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DSI30-12AS |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 40µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 30A |
| Capacitancia Vr, F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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