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DS1-12D
- Número de pieza:
- DS1-12D
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19765 Pieces
- Ficha de datos:
- DS1-12D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DS1-12D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DS1-12D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.3V @ 7A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DS1-12D |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 2.3A Through Hole |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 700µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 2.3A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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