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PMEG3010AESBZ
- Número de pieza:
- PMEG3010AESBZ
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17029 Pieces
- Ficha de datos:
- PMEG3010AESBZ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMEG3010AESBZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMEG3010AESBZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 480mV @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | DSN1006-2 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 3.5ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-XDFN |
| Otros nombres: | 934068753314 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PMEG3010AESBZ |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount DSN1006-2 |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.25mA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 32pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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