DMP10H400SK3-13
DMP10H400SK3-13
Número de pieza:
DMP10H400SK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 9A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17846 Pieces
Ficha de datos:
DMP10H400SK3-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):42W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:DMP10H400SK3-13DITR
DMP10H400SK313
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMP10H400SK3-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1239pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 9A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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