DMP1011UCB9-7
Número de pieza:
DMP1011UCB9-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12916 Pieces
Ficha de datos:
DMP1011UCB9-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:U-WLB1515-9
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):890mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:9-UFBGA, WLBGA
Otros nombres:DMP1011UCB9-7DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMP1011UCB9-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 8V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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