DMNH6012LK3Q-13
Número de pieza:
DMNH6012LK3Q-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET NCH 60V 80A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15922 Pieces
Ficha de datos:
DMNH6012LK3Q-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-4L
Serie:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMNH6012LK3Q-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1926pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 80A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET NCH 60V 80A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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