DMN2250UFB-7B
DMN2250UFB-7B
Número de pieza:
DMN2250UFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16712 Pieces
Ficha de datos:
DMN2250UFB-7B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-UFDFN
Otros nombres:DMN2250UFB-7BDITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN2250UFB-7B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:94pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 1.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.35A (Ta)
Email:[email protected]

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