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DG2016DQ-T1-E3
- Número de pieza:
- DG2016DQ-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13932 Pieces
- Ficha de datos:
- DG2016DQ-T1-E3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DG2016DQ-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DG2016DQ-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje, Sencilla (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
|---|---|
| Alimentación de voltaje, Dual (V ±): | - |
| Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (máx.): | 48ns, 33ns |
| Circuito de interruptores: | SPDT |
| Paquete del dispositivo: | 10-MSOP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistencia en el estado (Max): | 4 Ohm |
| Número de circuitos: | 2 |
| Circuito Multiplexor / Demultiplexor: | 2:1 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DG2016DQ-T1-E3 |
| Descripción ampliada: | 2 Circuit IC Switch 2:1 4 Ohm 10-MSOP |
| Descripción: | IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP |
| Corriente - Fuga (IS (apagado)) (Máx.): | 1nA |
| Crosstalk: | -82dB @ 1MHz |
| Inyección de Carga: | 79pC |
| Comparación de canal a canal (ΔRon): | - |
| Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado)): | 14pF |
| Ancho de banda de -3 dB: | - |
| Email: | [email protected] |
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