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DG2018DN-T1-E4
- Número de pieza:
- DG2018DN-T1-E4
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13190 Pieces
- Ficha de datos:
- DG2018DN-T1-E4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DG2018DN-T1-E4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DG2018DN-T1-E4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje, Sencilla (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
|---|---|
| Alimentación de voltaje, Dual (V ±): | - |
| Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (máx.): | 48ns, 33ns |
| Circuito de interruptores: | DPDT |
| Paquete del dispositivo: | 16-QFN (3x3) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistencia en el estado (Max): | 8 Ohm |
| Número de circuitos: | 2 |
| Circuito Multiplexor / Demultiplexor: | 2:2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DG2018DN-T1-E4 |
| Descripción ampliada: | 2 Circuit IC Switch 2:2 8 Ohm 16-QFN (3x3) |
| Descripción: | IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN |
| Corriente - Fuga (IS (apagado)) (Máx.): | 1nA |
| Crosstalk: | -72dB @ 1MHz |
| Inyección de Carga: | -2.46pC |
| Comparación de canal a canal (ΔRon): | 600 mOhm |
| Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado)): | 7.5pF |
| Ancho de banda de -3 dB: | 180MHz |
| Email: | [email protected] |
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