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CXDM1002N TR
- Número de pieza:
- CXDM1002N TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17117 Pieces
- Ficha de datos:
- CXDM1002N TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CXDM1002N TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CXDM1002N TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-89 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 300 mOhm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.2W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | CXDM1002N DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CXDM1002N TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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