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CGHV59350F
- Número de pieza:
- CGHV59350F
- Fabricante:
- Cree
- Descripción:
- FET RF 125V 5.9GHZ 440217
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14289 Pieces
- Ficha de datos:
- CGHV59350F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CGHV59350F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CGHV59350F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 50V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 125V |
| Tipo de transistor: | HEMT |
| Paquete del dispositivo: | 440217 |
| Serie: | GaN |
| Alimentación - Salida: | 450W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 440217 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CGHV59350F |
| Ganancia: | 11.2dB |
| Frecuencia: | 5.2GHz ~ 5.9GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet HEMT 50V 1A 5.2GHz ~ 5.9GHz 11.2dB 450W 440217 |
| Descripción: | FET RF 125V 5.9GHZ 440217 |
| Valoración actual: | 24A |
| Corriente - Prueba: | 1A |
| Email: | [email protected] |
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