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CGHV1F025S
- Número de pieza:
- CGHV1F025S
- Fabricante:
- Cree
- Descripción:
- FET RF 100V 6GHZ 12DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19404 Pieces
- Ficha de datos:
- CGHV1F025S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CGHV1F025S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CGHV1F025S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 40V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 100V |
| Tipo de transistor: | HEMT |
| Paquete del dispositivo: | 12-DFN (4x3) |
| Serie: | GaN |
| Alimentación - Salida: | 29W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | CGHV1F025STR |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CGHV1F025S |
| Ganancia: | 16dB |
| Frecuencia: | 6GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet HEMT 40V 150mA 6GHz 16dB 29W 12-DFN (4x3) |
| Descripción: | FET RF 100V 6GHZ 12DFN |
| Valoración actual: | 2A |
| Corriente - Prueba: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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