BUZ31 E3046
BUZ31 E3046
Número de pieza:
BUZ31 E3046
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17225 Pieces
Ficha de datos:
BUZ31 E3046.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 9A, 5V
La disipación de energía (máximo):95W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUZ31 E3046
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14.5A (Tc)
Email:[email protected]

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