IPB60R160C6
IPB60R160C6
Número de pieza:
IPB60R160C6
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18596 Pieces
Ficha de datos:
IPB60R160C6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 750µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-2
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:160 mOhm @ 11.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):176W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB60R160C6-ND
IPB60R160C6ATMA1
SP000687552
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB60R160C6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23.8A (Tc)
Email:[email protected]

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