BUK9E06-55B,127
BUK9E06-55B,127
Número de pieza:
BUK9E06-55B,127
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19219 Pieces
Ficha de datos:
BUK9E06-55B,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.4 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):258W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:1727-5270
568-6638
568-6638-5
568-6638-5-ND
568-6638-ND
934057313127
BUK9E06-55B
BUK9E06-55B,127-ND
BUK9E06-55B-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BUK9E06-55B,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7565pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 75A (Tc) 258W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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