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BTS282Z E3180A
- Número de pieza:
- BTS282Z E3180A
- Descripción:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13618 Pieces
- Ficha de datos:
- BTS282Z E3180A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BTS282Z E3180A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BTS282Z E3180A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 240µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO220-7-180 |
| Serie: | TEMPFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Otros nombres: | BTS282ZE3180AINDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BTS282Z E3180A |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 232nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Temperature Sensing Diode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 49V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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