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BT169G/DG,126
- Número de pieza:
- BT169G/DG,126
- Fabricante:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Descripción:
- THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15771 Pieces
- Ficha de datos:
- BT169G/DG,126.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BT169G/DG,126, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BT169G/DG,126 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - En estado (Vtm) (Max): | 1.7V |
|---|---|
| Tensión - Estado Off: | 600V |
| Tensión - disparo de la puerta (VGT) (Max): | 800mV |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Tipo SCR: | Sensitive Gate |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 1740-1427-1 568-9613-1 568-9613-1-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BT169G/DG,126 |
| Descripción ampliada: | SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3 |
| Descripción: | THYRISTOR 600V 0.8A TO-92 |
| Corriente - En estado (It (RMS)) (Max): | 800mA |
| Corriente - En estado (It (AV)) (Max): | 500mA |
| Corriente - Off Estado (Max): | 100µA |
| Corriente -. No Rep sobretensiones 50, 60 Hz (ITSM): | 8A, 9A |
| Corriente - Hold (Ih) (Max): | 5mA |
| Corriente - disparo de la puerta (lgt) (Max): | 200µA |
| Email: | [email protected] |
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