BT169G,126
BT169G,126
Número de pieza:
BT169G,126
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción:
THYRISTOR 600V 0.8A SOT54
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18084 Pieces
Ficha de datos:
BT169G,126.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - En estado (Vtm) (Max):1.7V
Tensión - Estado Off:600V
Tensión - disparo de la puerta (VGT) (Max):800mV
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
Tipo SCR:Sensitive Gate
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Otros nombres:1740-1091-3
568-11772-3
568-11772-3-ND
934002840126
BT169G AMO
BT169G AMO-ND
BT169G,126-ND
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BT169G,126
Descripción ampliada:SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
Descripción:THYRISTOR 600V 0.8A SOT54
Corriente - En estado (It (RMS)) (Max):800mA
Corriente - En estado (It (AV)) (Max):500mA
Corriente - Off Estado (Max):100µA
Corriente -. No Rep sobretensiones 50, 60 Hz (ITSM):8A, 9A
Corriente - Hold (Ih) (Max):5mA
Corriente - disparo de la puerta (lgt) (Max):200µA
Email:[email protected]

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