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BSS214N H6327
- Número de pieza:
- BSS214N H6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13761 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS214N H6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS214N H6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS214N H6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 3.7µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS214N H6327-ND BSS214NH6327 BSS214NH6327XTSA1 SP000928936 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSS214N H6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 143pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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