IPP086N10N3GHKSA1
IPP086N10N3GHKSA1
Número de pieza:
IPP086N10N3GHKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15111 Pieces
Ficha de datos:
IPP086N10N3GHKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 75µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:8.6 mOhm @ 73A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP000485980
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPP086N10N3GHKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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