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BSS209PW L6327
- Número de pieza:
- BSS209PW L6327
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16467 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS209PW L6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS209PW L6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS209PW L6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 3.5µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT323-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 550 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 300mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | SP000245422 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS209PW L6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 89.9pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.38nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 580mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 580mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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