Comprar SI2314EDS-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 950mV @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 33 mOhm @ 5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 750mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI2314EDS-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 20V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.77A (Ta) |
Email: | [email protected] |