BSP318SH6327XTSA1
BSP318SH6327XTSA1
Número de pieza:
BSP318SH6327XTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2.6A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15386 Pieces
Ficha de datos:
BSP318SH6327XTSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 20µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:BSP318SH6327XTSA1-ND
BSP318SH6327XTSA1TR
SP001058838
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSP318SH6327XTSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 2.6A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Tj)
Email:[email protected]

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