BSP315PE6327T
BSP315PE6327T
Número de pieza:
BSP315PE6327T
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15533 Pieces
Ficha de datos:
BSP315PE6327T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 160µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:800 mOhm @ 1.17A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:BSP315PXTINTR
SP000012319
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSP315PE6327T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.8nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.17A (Ta)
Email:[email protected]

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