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BSP149 E6327
- Número de pieza:
- BSP149 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14643 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP149 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP149 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP149 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 400µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP149E6327T SP000011104 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP149 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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