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BSM180D12P2C101
- Número de pieza:
- BSM180D12P2C101
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13342 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.BSM180D12P2C101.pdf2.BSM180D12P2C101.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSM180D12P2C101, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSM180D12P2C101 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 35.2mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| Potencia - Max: | 1130W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Module |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSM180D12P2C101 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A |
| Email: | [email protected] |
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