BSH108,215
BSH108,215
Número de pieza:
BSH108,215
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16219 Pieces
Ficha de datos:
BSH108,215.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-236AB (SOT23)
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):830mW (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:1727-4925-2
568-6216-2
568-6216-2-ND
934055571215
BSH108 T/R
BSH108 T/R-ND
BSH108,215-ND
BSH108215
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSH108,215
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.9A (Tc)
Email:[email protected]

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