Comprar AUIRF7799L2TR con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET L8 |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 38 mOhm @ 21A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric L8 |
Otros nombres: | SP001522796 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | AUIRF7799L2TR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6714pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 250V |
Descripción: | MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 375A (Tc) |
Email: | [email protected] |