AUIRF7799L2TR
Número de pieza:
AUIRF7799L2TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17119 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF7799L2TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET L8
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:38 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo):4.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric L8
Otros nombres:SP001522796
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:AUIRF7799L2TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6714pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:165nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:375A (Tc)
Email:[email protected]

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