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BSC750N10ND G
- Número de pieza:
- BSC750N10ND G
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14721 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.BSC750N10ND G.pdf2.BSC750N10ND G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSC750N10ND G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSC750N10ND G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 12µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 75 mOhm @ 13A, 10V |
| Potencia - Max: | 26W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | BSC750N10ND G-ND BSC750N10ND GTR BSC750N10NDG BSC750N10NDGATMA1 SP000359610 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSC750N10ND G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.2A |
| Email: | [email protected] |
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