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BSC0910NDIATMA1
- Número de pieza:
- BSC0910NDIATMA1
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18740 Pieces
- Ficha de datos:
- BSC0910NDIATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSC0910NDIATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSC0910NDIATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TISON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | SP000998052 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSC0910NDIATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4500pF @ 12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 11A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A, 31A |
| Email: | [email protected] |
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