BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1
Número de pieza:
BSC0921NDIATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15776 Pieces
Ficha de datos:
BSC0921NDIATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PG-TISON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC0921NDIATMA1-ND
BSC0921NDIATMA1TR
SP000934748
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC0921NDIATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1025pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.9nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A, 31A
Email:[email protected]

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