BSC059N03ST
Número de pieza:
BSC059N03ST
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17595 Pieces
Ficha de datos:
BSC059N03ST.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 35µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:P-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:SP000014717
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSC059N03ST
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 19A (Ta), 89A (Tc) Surface Mount P-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 89A (Tc)
Email:[email protected]

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