BSC052N03S G
BSC052N03S G
Número de pieza:
BSC052N03S G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12737 Pieces
Ficha de datos:
BSC052N03S G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 40µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.2 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 54W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC052N03SGXT
SP000056192
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSC052N03S G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2820pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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