BSB028N06NN3 G
BSB028N06NN3 G
Número de pieza:
BSB028N06NN3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13032 Pieces
Ficha de datos:
BSB028N06NN3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 102µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.2W (Ta), 78W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-WDSON
Otros nombres:BSB028N06NN3 G-ND
BSB028N06NN3G
BSB028N06NN3GXUMA1
SP000605956
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSB028N06NN3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:143nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

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