Comprar BF994S,215 con BYCHPS
Compre con garantía
BF994S,215
- Número de pieza:
- BF994S,215
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19621 Pieces
- Ficha de datos:
- BF994S,215.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BF994S,215, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BF994S,215 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 15V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 20V |
| Tipo de transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Paquete del dispositivo: | SOT-143B |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-253-4, TO-253AA |
| Otros nombres: | 568-1972-2 933754970215 BF994S T/R |
| Figura de ruido: | 1dB |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BF994S,215 |
| Ganancia: | 25dB |
| Frecuencia: | 200MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 15V 10mA 200MHz 25dB SOT-143B |
| Descripción: | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B |
| Valoración actual: | 30mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BF994S,215
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF447G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247 | Investigación |
 |
CGH40045F | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 4GHZ 440193 | Investigación |
 |
PTFC210202FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
 |
A2T26H165-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Investigación |
 |
BLL6H0514LS-130,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | Investigación |
 |
MRF7S18170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 | Investigación |
 |
BLF2045,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C | Investigación |
 |
ARF1511 | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 20A DIE | Investigación |
 |
BLF6G15L-500H,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A | Investigación |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Investigación |
 |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
 |
J304_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | Investigación |
 |
BLF7G20LS-140P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog