Comprar APT58M50JU3 con BYCHPS
Compre con garantía
APT58M50JU3
- Número de pieza:
- APT58M50JU3
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13293 Pieces
- Ficha de datos:
- APT58M50JU3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APT58M50JU3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APT58M50JU3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227 |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 65 mOhm @ 42A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 543W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APT58M50JU3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 340nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 500V 58A 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 58A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de APT58M50JU3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT58M50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Investigación |
 |
APT58MJ50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | Investigación |
|
APT58M50JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | Investigación |
 |
NTGS3433T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP | Investigación |
|
APT58F50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Investigación |
|
APT58M50JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 | Investigación |
 |
AO4260 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC | Investigación |
 |
AO3442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT23 | Investigación |
|
APT58M80J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 | Investigación |
 |
IRF3707ZCS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK | Investigación |
|
APT58M50JU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | Investigación |
 |
BSS87H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog