APT58M80J
APT58M80J
Número de pieza:
APT58M80J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14510 Pieces
Ficha de datos:
1.APT58M80J.pdf2.APT58M80J.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo):960W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT58M80J
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:570nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 58A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:58A
Email:[email protected]

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