AOD2N100
AOD2N100
Número de pieza:
AOD2N100
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12383 Pieces
Ficha de datos:
1.AOD2N100.pdf2.AOD2N100.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOD2N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 2A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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