AOB4S60L
AOB4S60L
Número de pieza:
AOB4S60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19998 Pieces
Ficha de datos:
1.AOB4S60L.pdf2.AOB4S60L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D²Pak)
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:785-1262-2
AOB4S60
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOB4S60L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:263pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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