AO4710L_101
AO4710L_101
Número de pieza:
AO4710L_101
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19254 Pieces
Ficha de datos:
AO4710L_101.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11.8 mOhm @ 12.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AO4710L_101
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2376pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 12.7A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.7A (Ta)
Email:[email protected]

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