ALD1110ESAL
Número de pieza:
ALD1110ESAL
Fabricante:
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15154 Pieces
Ficha de datos:
ALD1110ESAL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.01V @ 1µA
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:EPAD®
RDS (Max) @Id, Vgs:500 Ohm @ 5V
Potencia - Max:600mW
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:ALD1110ESAL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2.5pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:10V
Descripción:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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