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8EWS08STR
- Número de pieza:
- 8EWS08STR
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16718 Pieces
- Ficha de datos:
- 8EWS08STR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 8EWS08STR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 8EWS08STR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | D-PAK (TO-252AA) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | VS-8EWS08STR VS-8EWS08STR-ND VS8EWS08STR VS8EWS08STR-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 8EWS08STR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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