ES3BHE3/57T
ES3BHE3/57T
Número de pieza:
ES3BHE3/57T
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19420 Pieces
Ficha de datos:
ES3BHE3/57T.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ES3BHE3/57T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ES3BHE3/57T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar ES3BHE3/57T con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:900mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:DO-214AB, (SMC)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-214AB, SMC
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ES3BHE3/57T
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:45pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios