6HP04CH-TL-W
6HP04CH-TL-W
Número de pieza:
6HP04CH-TL-W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17857 Pieces
Ficha de datos:
6HP04CH-TL-W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:3-CPH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.2 Ohm @ 190mA, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:6HP04CH-TL-W-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:6HP04CH-TL-W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:24.1pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.84nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 370mA (Ta) Surface Mount 3-CPH
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:370mA (Ta)
Email:[email protected]

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