NTMS5P02R2SG
Número de pieza:
NTMS5P02R2SG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16806 Pieces
Ficha de datos:
NTMS5P02R2SG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.25V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):790mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:NTMS5P02R2SG-ND
NTMS5P02R2SGOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTMS5P02R2SG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.95A (Ta)
Email:[email protected]

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