2SK879-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistores-JFETs 2SK879-Y(TE85L,F)

2SK879-Y(TE85L,F)

Número de pieza:: 2SK879-Y(TE85L,F)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor

Descripción:: JFET N-CH 0.1W USM

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 16720 Pieces

Ficha de datos:: 2SK879-Y(TE85L,F).pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:	400mV @ 100nA
Paquete del dispositivo:	USM
Serie:	-
Resistencia - RDS (on):	-
Potencia - Max:	100mW
embalaje:	Original-Reel®
Paquete / Cubierta:	SC-70, SOT-323
Otros nombres:	2SK879-Y(TE85LF)DKR
Temperatura de funcionamiento:	125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	2SK879-Y(TE85L,F)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	8.2pF @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Descripción ampliada:	JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount USM
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:	-
Descripción:	JFET N-CH 0.1W USM
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):	1.2mA @ 10V
Email:	[email protected]

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