2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)
Número de pieza:
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
JFET N-CH 0.1W USM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16720 Pieces
Ficha de datos:
2SK879-Y(TE85L,F).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:400mV @ 100nA
Paquete del dispositivo:USM
Serie:-
Resistencia - RDS (on):-
Potencia - Max:100mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:2SK879-Y(TE85LF)DKR
Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SK879-Y(TE85L,F)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.2pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descripción ampliada:JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount USM
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:JFET N-CH 0.1W USM
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):1.2mA @ 10V
Email:[email protected]

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