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2SK879-GR(TE85L,F)
- Número de pieza:
- 2SK879-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- JFET N-CH 0.1W USM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16820 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SK879-GR(TE85L,F).pdf
Introducción
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Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 400mV @ 100nA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | USM |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | - |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | 2SK879-GR(TE85LF)CT |
| Temperatura de funcionamiento: | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK879-GR(TE85L,F) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.2pF @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | JFET N-Channel 2.6mA @ 10V 100mW Surface Mount USM |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | JFET N-CH 0.1W USM |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 2.6mA @ 10V |
| Email: | [email protected] |
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