2SK3018T106
2SK3018T106
Número de pieza:
2SK3018T106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12692 Pieces
Ficha de datos:
2SK3018T106.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo):200mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:2SK3018T106TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SK3018T106
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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